国家第三代半导体手艺立异中心(南京)在碳化硅MOSFET芯片制造领域取得的手艺突破，确实是我国半导体工业生长的一个主要里程碑。通过四年的专注研发，该中心不但乐成掌握了沟槽型碳化硅MOSFET芯片的制造要害手艺，并且显著提升了芯片的导通性能，预计性能提升约30%。这一效果不但突破了古板平面型碳化硅MOSFET芯片的性能限制，尚有助于降低本钱，预计将在多个高端应用领域，如新能源汽车电驱动、智能电网、光伏储能等，获得普遍应用。
图源：南京日报/紫金山新闻记者 孙中元
超快激光手艺在这一历程中施展了至关主要的作用。它能够实现微米甚至纳米级的加工精度，这关于在碳化硅质料上准确地“挖坑”制作沟槽型结构至关主要。这种高精度的加工手艺是实现碳化硅MOSFET芯片性能提升的要害因素之一。别的，超快激光手艺的应用规模正在一直拓展，它在LED/OLED照明、光伏以及晶圆切割等领域的应用也在一直增添，成为推动半导体工艺向更小、更细腻偏向生长的主要工具。
尊龙官方平台超高细密冷水机CWUP-20ANP 的温控精度抵达±0.08℃，可为半导体细密加工装备提供了极其稳固的控温情形。这种稳固性关于包管芯片加工历程中的准确度和质量至关主要，能进一步提升了芯片的加工精度。
国家第三代半导体手艺立异中心(南京)的手艺突破，团结超快激光手艺的应用和政策的支持，预示着我国半导体工业将迎来新的生长机缘，有望在全球半导体工业中占有越发主要的职位。
